Introducción: La presencia de coliformes fecales y totales en aguas residuales constituyen indicadores de la calidad del agua y del grado de exposición e impacto de las actividades humanas en ella. Objetivo: Aplicar procesos de fotocatálisis con luz solar y el método Dip - Coating para la reducción de coliformes de aguas residuales. Metodología: El proceso incluyó la inmersión perpendicular y posterior extracción del sustrato a velocidad controlada en una solución preparada para la formación de la película de Dióxido de Titanio, drenaje en el mismo equipo, evaporación y secado conocido como método DIP_coating conjuntamente con la desinfección solar del agua (SODIS) que usó la energía solar para destruir los microorganismos patógenos que causan enfermedades transmitidas por el agua, relacionando la radiación UV-A, que tuvo efecto germicida y la radiación infrarroja, encargada de elevar la temperatura del agua. El uso combinado de la radiación UV-A y del calor produjo un efecto de sinergia que incrementó la eficacia del proceso. Se trabajaron cuatro unidades experimentales: dos fueron aplicadas por el método SODIS y las otras dos aplicaron SODIS con TIO2 en el método Dip-coating. Las muestras de agua residual fueron dispuestas en botellas de plástico PET preparadas en tres disoluciones (10-1, 10-2 y 10-3) realizándose el análisis microbiológico_cuantificación de coliformes en placas Compact Dry EC incubadas 24 horas a 35°C. Resultados: Se evidenció una reducción significativa, sobre todo en la dilución 10-3, llegando a contabilizar para el caso de coliformes fecales en el método SODIS: 3900 NMP/100ml y DIP-COATING: 100 NMP/100ml; y para coliformes totales en SODIS: 12500 NMP/100ml y DIP-COATING: 1100 NMP/100ml, a condiciones óptimas de tratamiento de 180 min a 42°C. Conclusiones: las condiciones expuestas y condiciones climáticas adecuadas se da el efecto de reducción máxima combinando las dos metodologías SODIS/DIP-Coating donde el proceso de fotocatálisis con luz solar mejoró microbiológicamente la calidad del agua donde el dióxido de titanio fue un semiconductor de bajo costo, fácil accesibilidad, baja toxicidad, resistencia a la foto corrosión y eficiencia catalítica.
